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ULSI片内互连线寄生参数提取及应用
作 者: 何剑春
导 师: 严晓浪
学 校: 浙江大学
专 业: 电路与系统
关键词: 片内互连线 参数提取 神经网络模型 电源树 同步切换噪声
分类号: TN405
类 型: 博士论文
年 份: 2002年
下 载: 338次
引 用: 1次
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内容摘要
半导体工艺水平的飞速提高使当今集成电路的发展进入超深亚微米(VDSM)阶段。随着系统芯片(SOC)的出现,片内互连线问题已经成为目前ULSI设计中最具挑战性的课题之一。互连的传输线效应成为限制系统整体性能的“瓶颈”。对于高速ULSI设计,传统EDA设计中采用的基于集总概念的参数提取算法已经失去准确性,寻求互新型电磁建模和参数提取方法具有至关重要的意义。它是一系列后续工作的基础。本文以片内互连线的关键长线为主要研究对象,侧重寄生参数提取方法的研究,以及基于互连模型分析各种寄生效应。研究方法从精度和速度两方面着手。文中研究内容可分为两部分: ■ 互连线寄生参数提取部分 1) 基于ULSI片内互连电感、电容参数提取问题的内容和特点,引入互连线不同相对几何位置的寄生参数解析计算公式,得到一类快速寄生电感、电容定界方法。 2) 提出一类基于牛顿法BP网络的互连线寄生电感提取方法;根据ULSI片上互连线曼哈顿结构特点,将ANN方法应用于多导体系统环电感分段计算,提出一种快速限制回路寄生电感提取方法。 3) 利用Csplat模拟互连线光刻,分析光刻中OPE对互连线版图的影响,针对版图畸变现象,采用二维BEM对电容参数作精确的实验性建模;定义有效长度概念,提出基于人工神经网络(ANN)实现多级导体系统寄生电容的快速提取方案。 ■ 基于互连线RC、RLC模型的时序分析 1) 针对ULSI设计中常用的晶体管驱动的单条全局互连线,以一阶或二阶模型近似其末端电压,得到时延和过冲分析的简化解析模型;基于两条电容性耦合互连线基本微分方程,推导出低阶近似串扰解析模型,并推广至多条电容性耦合互连线情况。 2) 基于电源树的普通RLC模型与π型RLC模型,利用一类切换事件 驱动的节点重组及参数重编机制,将非线性噪声传播过程简化为线 性系统,实现PST噪声分析的时域解析方法,以提高模拟效率。
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全文目录
第一章 引言 9-25 1.1 研究背景 9-17 1.1.1 超深亚微米工艺(VDSM)及系统芯片技术(SOC) 9-12 1.1.2 互连和封装技术 12-16 1.1.3 片内互连分类及设计考虑 16-17 1.2 ULSI片上互连寄生参数的影响 17-18 1.3 本文研究工作 18-25 1.3.1 研究对象和研究内容 18-20 1.3.2 参数提取研究方法 20-23 1.3.2.1 参数提取方法现状 20-22 1.3.2.2 文中采用的主要参数提取方法 22-23 1.3.3 本文主要研究内容 23-25 第二章 ULSI连线分析基本理论 25-35 2.1 Maxwell方程组 25-26 2.2 互连模型 26-29 2.2.1 器件和互连的按比例缩小 26-27 2.2.2 互连模型 27 2.2.3 互连线模型选择原则 27-29 2.3 器件模型 29-32 2.3.1 普通形式 29-30 2.3.2 查表形式 30-31 2.3.2.1 一维表 30-31 2.3.2.2 二维表 31 2.3.3 等效电容形式 31-32 2.4 互连分析中存在的几个主要问题 32-35 2.4.1 稀疏化与稳定性 33-34 2.4.2 模型降阶问题 34-35 第三章 ULSI互连线寄生电感参数提取 35-54 3.1 引言 35-37 3.2 电感提取问题 37-40 3.2.1 问题的描述 37-38 3.2.2 部分电感概念 38-39 3.2.3 研究现状 39-40 3.3 多导体系统限制回路电感提取解析方法 40-44 3.3.1 平行导体自感和互感解析计算公式 40-42 3.3.2 定界方法 42-44 3.4 基于BP网络的电感提取方法 44-49 3.4.1 基于牛顿法的BP网络 44-45 3.4.2 基于BP网络的电感提取 45-47 3.4.3 仿真算例 47-49 3.4.4 小结 49 3.5 多导体系统限制回路电感提取方法 49-54 3.5.1 信号线与地线布线特点 49-50 3.5.2 基于HARO规则的RLIE 50-51 3.5.3 基于ANN的多导体系统RLIE 51-52 3.5.4 实例 52-53 3.5.5 小结 53-54 第四章 ULSI互连线寄生电容参数提取 54-67 4.1 互连线寄生电容提取问题 55-57 4.1.1 问题的描述 55-56 4.1.2 静电场的计算 56 4.1.3 常用方法 56-57 4.2 互连线解析电容模型 57-60 4.2.1 单层金属共面导体的寄生电容参数 57-58 4.2.2 多级金属导体中寄生电容参数 58-60 4.3 互连线寄生电容参数的上下界推导 60-62 4.4 OPE对互连线模拟光刻的影响 62-63 4.5 基于ANN提取互连线寄生电容参数 63-66 4.5.1 互连线寄生电容提取修正因子法 64-65 4.5.2 计算实例 65-66 4.6 本章小结 66-67 第五章 ULSI互连线高频效应分析 67-81 5.1 互连线耦合效应时域分析 69-72 5.1.1 电容耦合效应 69-70 5.1.2 电感耦合效应 70-72 5.2 单根互连线延时和过冲分析 72-76 5.2.1 RC线分析 72-74 5.2.2 RLC线分析 74-76 5.3 高频互连线串扰分析 76-80 5.3.1 两条电容性耦合互连线串扰模型 76-78 5.3.2 多条电容性耦合互连线串扰模型 78-80 5.4 本章小结 80-81 第六章 电源树同步切换噪声估计 81-97 6.1 ULSI电源/地网络设计特点 81-83 6.1.1 布图模式 81-82 6.1.2 ULSI电源/地网络设计特点 82-83 6.2 基于分布RLC模型估计电源树同步切换噪声 83-92 6.2.1 PST建模 84-85 6.2.2 基于事件驱动机制估计PST的SSN 85-86 6.2.2.1 输入模式生成 85 6.2.2.2 切换事件的触发 85-86 6.2.3 PST噪声估计 86-88 6.2.3.1 节点重组与参数重编号 86-87 6.2.3.2 部分传递函数计算 87-88 6.2.4 仿真 88-92 6.3 基于π型分布RLC模型估计电源树同步切换噪声 92-97 6.3.1 PST建模 92-93 6.3.2 基于事件驱动机制估计PST的SSN 93-94 6.3.3 仿真 94-97 第七章 总结与展望 97-99 参考文献 99-104 作者在学期间发表及录用的论文 104-105 致谢 105
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 制造工艺
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