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APD光子计数成像技术研究
作 者: 寇松峰
导 师: 陈钱
学 校: 南京理工大学
专 业: 光学工程
关键词: 盖革模式 雪崩二极管阵列 单光子响应 反演模型 光子计数成像
分类号: TN312.7
类 型: 博士论文
年 份: 2010年
下 载: 690次
引 用: 4次
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内容摘要
工作在盖革模式下的雪崩型光电二极管(APD)和二极管阵列(APD array)具备单光子探测能力,在天文观测、生物波导探测、通信、粒子物理学等领域具有广泛的应用前景,是各发达国家光电子学重点研究的课题之一。本文从光子统计特性和APD的瞬态响应特性入手,对APD器件光电响应原理及其固有缺陷产生机理进行了理论分析和实验研究,提出了一种新的基于盖革模式APD器件的微弱光成像方法。本文研究的内容既涉及到基本的物理问题,也涉及到未来的应用。在微弱光成像中,微弱的光信号更多地呈现出粒子特征,并伴随着随机的通量涨落,这种粒子性和随机性给成像系统带来的是与图像信息相关的离散信号,很难使用经典的图像噪声理论和方法进行处理。为了减小微弱光的粒子性对成像质量的影响,通常采用延长积分时间的方法对较宽时间范围内的微弱光信号进行能量积分,以抵消光子通量涨落和“群聚效应”造成的影响,这种能量平均的方法一方面需要对成像器件进行特殊处理以减小器件自身的暗电流和热噪声,另一方面则降低了成像频率。采用光子计数得到入射光的光子计数值,通过已知概率分布的反演方法快速准确地得到入射光的统计特性,成为克服微弱光探测难题的一个研究热点和难点。光子计数反演方法能否准确反映目标光场的强度分布则成为光子计数成像的一个核心科学问题。本文从半经典统计光学出发,建立了粗糙表面的单光子反射模型,采用蒙特卡罗仿真与物理实验相结合的方法对粗糙表面单光子反射特性进行了深入研究,得到了微弱光子信号经粗糙表面反射后的统计分布,证明了基于APD的光子计数反演方法能够准确反映目标光场的强度分布,为光子计数反演方法在APD光子计数成像中的应用奠定了理论基础。在单光子计数系统中,APD的时间响应特性和频率响应特性是很重要的。现有的APD响应模型多以载流子稳态平衡方程为基础,对单光子量级的瞬态入射信号响应精度较差。为了更加准确地描述单光子量级的瞬态信号入射状态下APD的响应特性,本文立足于单个载流子在耗尽层漂移和倍增区碰撞电离过程,将倍增区划分为厚度Δx→0的倍增区域,针对单个倍增区域建立时间-载流子浓度方程,通过时域积分方法建立了四层拉通型APD的时间响应模型,并对时间响应特性方程进行傅立叶变换得到APD的频率响应特性。数值仿真与实验结果的比较显示:在盖革模式下,APD的增益快速提高,光电流持续时间增加,导致APD的响应频率降低。采用门控技术和主动抑制技术可以在雪崩电流产生瞬间将APD的偏置电压降低到雪崩电压以下,抑制雪崩的继续,从而达到缩短光电流的持续时间、提高器件的响应频率的目的,满足微弱光照条件下光子计数成像的需要。采用APD进行光子计数成像时,受到器件恢复时间的限制,只能以门控工作方式对入射光子进行采样,这样就把有效时间分成了一组离散的时间间隔。显然,这样测量得到的信息要比光子本身出现时刻所载的信息量少,需要对接收到的光子事件进行统计特性的恢复和修正。为了尽量准确地对入射光场进行反演,我们建立了基于泊松点过程的光子事件模型和APD光子计数反演模型,通过蒙特卡罗仿真得到了所给标准图像的光子计数反演结果,对不同参数条件下的光子计数成像结果进行了比较,深入分析了非均匀性、暗计数等器件固有缺陷对成像质量的影响,给出了现有器件技术水平下APD光子计数成像的极限条件。构建了以硅APD单光子计数器为探测核心的实验平台,完成了相关的硬件和软件开发,实现了单元扫描方式的APD光子计数成像。在实验平台上进行了大量的实验测试,分析了成像模型仿真结果与实验结果之间的共同点以及两者产生差异的原因,对建立的光子计数成像模型进行了分析和评估,提出了进一步的改进措施。进行了APD光子计数成像与EMCCD微光成像的对比实验,对两者在不同光照度条件下的灰度响应、竖条纹分辨能力进行了比较,并对两者的灰度图像进行了质量评价。实验数据的统计分析和数学模型的仿真评估结果都表明,与现有的光电成像技术相比较,基于APD的光子计数成像技术在探测灵敏度上具有一定的优势。文章最后结合本文研究的不足之处,给出了今后研究的方向和APD光子计数成像技术研究展望。
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全文目录
摘要 5-7 ABSTRACT 7-12 1 绪论 12-23 1.1 光子计数成像发展概述 12-13 1.2 APD光子计数成像的原理和特点 13-16 1.2.1 全固态结构 14 1.2.2 超高探测灵敏度 14-15 1.2.3 高帧频数字化成像 15-16 1.2.4 复合成像 16 1.3 国内外研究现状 16-21 1.4 论文的研究背景与创新点 21-22 1.5 论文的主要工作和内容安排 22-23 2 光子计数 23-44 2.1 引言 23 2.2 光子特性 23-27 2.2.1 单个光子的能量 24 2.2.2 测不准关系 24-26 2.2.3 光子数涨落 26-27 2.3 单光子探测器 27-34 2.3.1 光电倍增管(PMT) 27-29 2.3.2 雪崩光电二极管(APD) 29-32 2.3.3 雪崩光电二极管阵列(APD array) 32-33 2.3.4 电耦合器件(CCD) 33-34 2.4 光子计数分布 34-37 2.4.1 光强恒定相干光 35 2.4.2 热辐射光 35-36 2.4.3 激光 36-37 2.5 反演模型 37-40 2.5.1 相干光反演模型 38-39 2.5.2 热辐射光反演模型 39 2.5.3 激光反演模型 39-40 2.6 APD的光子计数反演模型 40-43 2.6.1 数值仿真 41 2.6.2 实验研究 41-43 2.7 小结 43-44 3 粗糙表面光子反射特性研究 44-65 3.1 引言 44-45 3.2 粗糙表面光子反射模型 45-48 3.2.1 Beckman粗糙表面光反射理论 45-46 3.2.2 单光子反射计数模型 46-48 3.3 数值仿真 48-56 3.3.1 蒙特卡罗方法 48-49 3.3.2 仿真流程 49-50 3.3.3 仿真结果 50-56 3.4 实验研究 56-63 3.4.1 实验装置 56-59 3.4.2 实验结果 59-63 3.5 仿真结果与实验结果的比较 63-64 3.6 小结 64-65 4 盖革模式下APD阵列瞬态响应特性研究 65-86 4.1 引言 65 4.2 载流子稳态方程 65-68 4.3 基于时域计分的单光子响应模型 68-75 4.3.1 模型建立 68-70 4.3.2 模型参数 70-71 4.3.3 仿真结果 71-75 4.4 APD阵列响应模型 75-84 4.4.1 模型建立 75-77 4.4.2 模型参数 77-80 4.4.3 仿真结果 80-84 4.5 小结 84-86 5 APD光子计数成像研究 86-122 5.1 引言 86 5.2 扫描成像模型 86-89 5.3 误差分析 89-91 5.4 数值仿真 91-103 5.4.1 仿真流程 91-93 5.4.2 仿真结果 93-102 5.4.3 图像质量评价 102-103 5.5 实验研究 103-119 5.5.1 实验平台 103-110 5.5.2 灰度响应 110-113 5.5.3 分辨力测试 113-116 5.5.4 扫描成像实验 116-119 5.6 仿真结果与实验结果的比较 119-120 5.7 小结 120-122 6 研究结论和展望 122-125 6.1 论文结论 122-123 6.2 研究展望 123-125 参考文献 125-136 致谢 136-137 附录A:读博士期间发表的主要论文 137-138 附录B:读博士期间研究成果与获奖情况 138
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体二极管 > 二极管:按结构和性能分 > 雪崩二极管
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