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SiO_2基体上直流磁控溅射LaB_6/ITO复合薄膜的性能研究
作 者: 汪丹
导 师: 闵光辉
学 校: 山东大学
专 业: 材料加工工程
关键词: LaB6 ITO 热处理 直流磁控溅射 双层薄膜
分类号: TB383.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 36次
引 用: 1次
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内容摘要
磁控溅射技术是一种高效的薄膜沉积工艺,近年来被得到广泛应用,据报道纳米LaB6颗粒在近红外波具有很好的吸收性,ITO薄膜作为代表性的透明导电材料,在中红外波段具有较强的光反射效应,为了综合两种材料在红外光波段的的特点,本文通过直流磁控溅射方法在玻璃基体上沉积了LaB6/ITO复合薄膜,并利用X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电镜等测试仪器研究了退火及不同溅射条件下LaB6/ITO薄膜组织、结构及光电性能的变化。LaB6/ITO双层薄膜的结构受第一层LaB6层溅射工艺跟退火工艺的共同影响,退火促进了薄膜(222)晶向的生长。溅射条件对薄膜的生长有很大的影响,只在氩气氛围下溅射容易形成不均匀的结构,加入偏压后薄膜生长更加致密,结晶更完全,功率过高或者过低薄膜容易出现坍塌现象,因为薄膜内部存在较大的内应力。薄膜的生长模式为岛状生长,生长过程中出现了“手指状”“圆锥状”的组织。改变四种工艺条件氩气气压、基片偏压、溅射功率、退火温度,均没有得到LaB6的晶体,XPS显示La、B元素没有产生有效结合,透射电镜也证明了LaB6为非晶组织,上层ITO结晶良好。退火后薄膜的断面由柱状晶变为等轴晶,晶格常数变大,为0.3125 nm,硬度与弹性模量值也得到提高。溅射时间为3分钟时,退火后薄膜由非晶态变为多晶,光学透过率、.导电性也明显得到改善,电阻率最高可降低两个数量级。
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全文目录
摘要 11-12 ABSTRACT 12-14 本文主要创新点 14-15 第一章 绪论 15-29 1.1 研究背景 15-22 1.1.1 LaB_6的结构、性能及研究现状 15-18 1.1.2 ITO的结构、性能及研究现状 18-21 1.1.3 LaB_6、ITO复合材料研究概况 21-22 1.2 薄膜生长机理及磁控溅射方法 22-25 1.2.1 薄膜生长 23-24 1.2.2 磁控溅射原理及研究概况 24-25 1.3 薄膜的热处理 25-26 1.4 课题研究的目的及主要内容 26-29 第二章 试验内容 29-43 2.1 试验材料 29 2.2 试验设备与溅射工艺参数 29-32 2.3 薄膜分析测试方法 32-43 2.3.1 X射线衍射仪 32-33 2.3.2 高分辨透射电镜 33-34 2.3.3 X射线光电子能谱仪 34-35 2.3.4 热场发射扫描电镜 35-36 2.3.5 原子力显微镜 36-37 2.3.6 台阶仪 37-38 2.3.7 纳米压痕测试仪 38-39 2.3.8 紫外/可见/近红外分光光度计 39-40 2.3.9 霍尔测量仪 40-43 第三章 热处理及溅射工艺对LAB_6/ITO薄膜组织结构的影响 43-67 3.1 不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析 43-49 3.1.1 不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析 43-45 3.1.2 不同基片偏压下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的XRD分析 45-46 3.1.3 不同溅射功率下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的XRD分析 46-48 3.1.4 不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的XRD分析 48-49 3.2 LaB_6薄膜的XRD、XPS分析 49-51 3.3 不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析 51-57 3.3.1 不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析 51-52 3.3.2 不同基片偏下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析 52-53 3.3.3 不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析 53-55 3.3.4 不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的AFM分析 55-56 3.3.5 由原子力显微镜观察薄膜生长 56-57 3.4 不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌 57-62 3.4.1 不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌 57-58 3.4.2 不同基片偏压下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的断口形貌 58-60 3.4.3 不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌 60-61 3.4.4 不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的断口形貌 61-62 3.5 不同氩气气压下溅射LaB_6/ITO薄膜的能谱分析 62-63 3.6 LaB_6/ITO薄膜的高分辨分析 63-64 3.7 LaB_6/ITO薄膜的硬度、弹性模量分析 64-65 3.8 本章小结 65-67 第四章 LAB_6/ITO薄膜的光电性能分析 67-79 4.1 不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析 68-73 4.1.1 不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析 68-69 4.1.2 不同基片偏压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析 69-70 4.1.3 不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析 70-72 4.1.4 不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的光学性能分析 72-73 4.2 不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析 73-77 4.2.1 不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析 73-74 4.2.2 不同基片偏压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析 74-75 4.2.3 不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析 75-76 4.2.4 不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的电学性能分析 76-77 4.3 本章小结 77-79 第五章 结论 79-81 参考文献 81-89 致谢 89-91 攻读硕士期间发表的论文 91-92 学位论文评阅及答辩情况表 92
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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