学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

应用于OPC的多边形匹配比较研究

作 者: 高晓莹
导 师: 史峥
学 校: 浙江大学
专 业: 电路与系统
关键词: 可制造性设计 光学邻近校正 分辨率增强技术 多边形匹配比较
分类号: TN405
类 型: 硕士论文
年 份: 2007年
下 载: 47次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
 

内容摘要


随着集成电路的工艺发展到超深亚微米阶段,集成电路的复杂度越来越高,特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限,即特征尺寸接近或小于光刻光源时,硅片上制造出的版图会出现明显的畸变。我们把这种现象称为光学邻近效应(OPE-Optical Proximity Effect).为了应对光学邻近效应,工业界提出了分辨率增强技术(RET-Resolution Enhancement Technology),减小设计版图与制造版图之间的误差。在光刻分辨率增强技术中,光学邻近校正(OPC-Optical Proximity Correction)已成为最重要的技术。光学邻近校正不是一个一次就能得到精确结果的过程,它是一个不断迭代的过程,需要多次验证修改。于是对已经做过OPC的版图(post-OPC版图)验证后的修正就逐渐成为提高OPC质量的必需步骤。传统的Post-OPC版图的修正需要对整个版图重做OPC,这样浪费了前次OPC的结果,而且可能会引入新的错误。于是业界提出了一种局部修正的办法——OPC平滑校正技术,充分利用前次OPC的结果,对出错点进行局部修正,以提高效率。本文研究的对象是原始版图(pre-OPC版图)和post-OPC版图中的图形。对版图中最基本的单元进行分析处理,力求得到能够优化OPC的算法。本文提出了一种用于post-OPC版图修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。

全文目录


摘要  3-4
Abstract  4-7
第一章 绪论  7-15
  1.1 集成电路的发展状况  7-9
  1.2 集成电路的设计技术  9-11
  1.3 集成电路的制造工艺  11-12
  1.4 集成电路的可制造性设计  12-13
  1.5 本文完成的工作及组织结构  13-15
第二章 集成电路制造流程及工艺  15-22
  2.1 光刻工艺  15-16
  2.2 分辨率增强技术(RET)  16-19
  2.3 光学近校正(OPC)  19-20
  2.4 光学邻近校正的验证  20-22
第三章 POST-OPC平滑修正技术  22-29
  3.1 研究背景  22-23
  3.2 波纹效应  23-24
  3.3 一种新的Post-OPC修正方法──平滑修正技术  24-25
  3.4 设计流程  25-26
  3.5 设计软件环境  26-29
第四章 多边形匹配比较算法的提出  29-32
  4.1 算法研究的对象  30
  4.2 算法研究的目标  30-31
  4.3 算法研究的应用  31-32
第五章 多边形匹配比较算法步骤  32-45
  5.1 单个多边形对的匹配和比较  32-41
    5.1.1 算法设计流程图  33-34
    5.1.2 起点的匹配  34-36
      5.1.2.1 起点的匹配条件  34-35
      5.1.2.2 起点匹配模糊算法  35-36
    5.1.3 点的遍历及段偏移量比较  36-37
    5.1.4 进入下一个参考点的判断  37-38
    5.1.5 角段和边段创建法  38-40
    5.1.6 段始点选择  40-41
  5.2 两个版图之间的多边形匹配  41-45
    5.2.1 重心排序  42
    5.2.2 边界重叠判定  42-43
    5.2.3 重叠面积筛选  43-45
第六章 算法实现及实验结果  45-54
  6.1 编码方式  45-46
  6.2 数据结构  46-47
  6.3 程序实现  47-48
  6.4 实验结果  48-53
    6.4.1 单个多边形对的匹配比较实验  49-52
    6.4.2 版图中多边形的匹配比较实验  52-53
  6.5 算法复杂度分析  53-54
第七章 总结与展望  54-56
参考文献  56-58
致谢  58

相似论文

  1. 光刻可行性测试的实现及其优化方法,TN407
  2. 功率场效应晶体管(MOSFET)的可制造性设计,TN386.1
  3. 纳米工艺寄生参数提取优化,TN402
  4. AlGaN/GaN异质结器件提升二维电子气浓度的研究,TN325
  5. 0.18um到90nm工艺转变对P&R影响的研究,TN47
  6. 基于AHP模糊综合评价在SMT新产品DFM评估中的应用,F224
  7. 冗余金属填充对电特性的影响研究,TN405.97
  8. VLSI后端设计中针对CMP平坦度的DFM,TN47
  9. 基于光刻模型的OPC切分研究,TN305.7
  10. 基于可制造性设计研究及测试芯片设计,TN402
  11. 视频处理芯片HTV190物理实现的方法研究,TN47
  12. 辅助图形在工艺窗口OPC模型中的应用以及广义OPC的概念,TN305
  13. 针对某引信机构的虚拟设计与加工的实践研究,TJ430
  14. 描述集成电路制造过程基于卷积核的可制造性模型研究,TN402
  15. 基于65nm工艺的256Bit eFuse设计,TN402
  16. 基于65纳米制造工艺的ARM9核后端物理设计,TP368.11
  17. 基于PCB板级电路模块可制造性设计的分析与仿真,TN41
  18. 基于Stretch S5000的密集采样成像算法的实现,TN402
  19. 空间滤波技术提高光刻分辨率的研究及其仿真软件的实现,TN305.7
  20. 纳米级集成电路分辨率增强技术研究,TN405
  21. OPC的平滑矫正过程研究,TN405

中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 制造工艺
© 2012 www.xueweilunwen.com