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光信息存储技术发展现状及前景分析

作　者: 郭伟
导　师: 刘春光
学　校: 东北师范大学
专　业: 凝聚态物理
关键词: 光存储信息发展现状前景分析
分类号: TP333
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 374次
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内容摘要

随着社会的发展和科技的进步,信息的存储容量在以几何级数增加,高密度数据存储技术始终是人们关注的研究领域。在当前主流的三种存储技术(磁存储、半导体存储和光存储)中,光存储具有存储密度大、信息保存时间长、生产成本低、潜力巨大等特点,因此被视为最有发展前途的存储方法。传统的光存储技术虽然已经成熟,但受波长衍射极限和物镜数值孔径的限制,存储容量和存储密度已经接近极限。随着与光存储相关的几门学科(光学技术、微电子技术、材料科学、细微加工技术、计算机与自动控制技术)的发展,目前出现了很多新兴的光存储技术,如：体全息存储、光谱烧孔存储、双光子吸收三维存储、散斑复用光存储、波导多层光存储、荧光多层光存储、固体浸没透镜近场存储、超分辨率近场结构存储、探针型近场光存储、光学双稳态、多阶光存储、多波长光存储、光波混频的相位共轭光存储、光折变存储、光致变色光存储、电子俘获光存储等。本研究对传统的存储技术和新兴的光存储技术原理进行了述评,对它们的优缺点进行了比较,并从总体发展规律上对其进行分析,在此基础上展望了未来信息存储的发展趋势。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-6
目录  6-8
引言  8-12
一、传统存储技术  12-22
  1.1 磁存储技术  12-14
    1.1.1 磁带  12-13
    1.1.2 磁盘  13-14
  1.2 半导体存储技术  14-17
    1.2.1 RAM  15
    1.2.2 ROM  15-16
    1.2.3 PROM  16
    1.2.4 EPROM  16
    1.2.5 EEPROM  16
    1.2.6 FLASH  16-17
    1.2.7 闪存卡  17
  1.3 传统光盘存储技术  17-20
  1.4 磁光(MO)存储技术  20-22
二、三维体全息存储  22-31
  2.1 体全息存储  22-23
  2.2 光谱烧孔存储  23-24
  2.3 双光子吸收三维存储  24-26
    2.3.1 光致变色材料光存储  25
    2.3.2 光致漂白材料光存储  25
    2.3.3 光致聚合材料光存储  25
    2.3.4 光致折变材料光存储  25-26
    2.3.5 双光子激发光致氧化材料光存储  26
  2.4 散斑复用光存储  26-28
    2.4.1 静态散斑复用技术  26-27
    2.4.2 动态散斑复用技术  27-28
  2.5 波导多层光存储  28-29
  2.6 荧光多层光存储  29-31
三、近场光学存储  31-35
  3.1 固体浸没透镜(solid immersion lens,SIL)近场存储  31-32
  3.2 超分辨率近场结构(Super-RENS)存储  32-33
    3.2.1 孔径型(Transimtted-Aperture type)超分辨率近场结构  32-33
    3.2.2 散射型(Scattered type)超分辨率近场结构  33
  3.3 探针型(probe scanning microscopy,PSM)近场光存储  33-35
四、光子双稳态多波长多级存储  35-48
  4.1 光学双稳态  35-37
  4.2 多阶光存储  37-40
    4.2.1 信号多阶光存储  37-39
      4.2.1.1 坑深调制  37
      4.2.1.2 坑边沿调制  37-38
      4.2.1.3 坑形调制  38-39
      4.2.1.4 记录符大小调制  39
    4.2.2 介质多阶光存储  39-40
      4.2.2.1 电子俘获多阶光存储  39
      4.2.2.2 部分结晶多阶技术  39
      4.2.2.3 光致变色多阶技术  39-40
  4.3 多波长光存储  40-41
  4.4 光波混频的相位共轭光存储  41-44
    4.4.1 三波混频  42-43
    4.4.2 四波混频  43-44
  4.5 光折变存储  44-45
  4.6 光致变色光存储  45-46
  4.7 电子俘获光存储  46-48
五、总结与展望  48-57
参考文献  57-58

光信息存储技术发展现状及前景分析

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