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化学液相淀积法制备氧化铝薄膜

作　者: 孙捷
导　师: 胡礼中
学　校: 大连理工大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 三氧化二铝薄膜化学液相淀积(CLD）水解过程
分类号: TN304.055
类　型: 硕士论文
年　份: 2003年
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内容摘要

无机氧化物薄膜在现代微电子学、固体电子学和光学工程中有广泛的应用。氧化物薄膜的制备已经成为凝聚态物理学的一个研究热点。传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。但是，这些方法大多要求非常复杂的实验设备，而且不容易操作。一种新的制备氧化物薄膜的方法——化学液相淀积（CLD）于1988年被Nagayama等人首次提出。它可以在更为简单的实验条件下制备氧化物薄膜，因此引起了人们的极大兴趣。但是，在全球范围内，化学液相淀积氧化铝薄膜尚未被研究过。在本文中，我们将报导制各氧化铝薄膜的CLD新方法。首先，我们先仔细研究了化学液相淀积氧化硅薄膜的过程（主要是参考Houng等人的工作）。然后，通过一套包括浸在水浴装置中的聚四氟乙烯生长室的实验装置系统，我们完成了化学液相淀积氧化铝薄膜的实验过程。制备生长液所用的化学试剂包括Al₂（SO₄）₃·18H₂O、NaHCO₃和去离子水。这是一个无机盐水解和高温退火的过程。薄膜的质量用AFM、AES、EDS、XRD、FTIR等实验手段进行表征，结果显示制得的三氧化二铝薄膜表面均匀而平整，化学组份纯正（不含氢元素），而且属于高硬度的晶态超薄膜。

全文目录

第一章引言  6-8
第二章氧化硅薄膜的生长及表征  8-14
  2．1 化学液相淀积氧化硅薄膜的工艺  8-9
  2．2 理论讨论与实验表征  9-14
第三章氧化铝薄膜的生长及表征  14-25
  3．1 化学液相淀积氧化铝薄膜的工艺  14-15
  3．2 化学液相淀积氧化铝薄膜的理论  15-18
  3．3 化学液相淀积氧化铝薄膜的表征  18-25
第四章结论  25-26
致谢  26-27
参考文献  27-29

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