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PLC控制的电感耦合等离子体刻蚀系统及刻蚀研究

作　者: 陈江波
导　师: 杨国光
学　校: 浙江大学
专　业: 测试计量技术及仪器
关键词: 二元光学等离子体刻蚀 PLC
分类号: TP273
类　型: 硕士论文
年　份: 2003年
下　载: 264次
引　用: 2次
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内容摘要

本文阐述了微系统的发展过程，叙述了二元光学的研究现状和二元光学的成型过程，比较了几种不同的刻蚀过程方法。并且详细介绍了离子刻蚀和离子源的原理。介绍了PLC控制等离子体刻蚀机的硬件系统和软件系统的设计。电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统结合侧壁保护工艺可以实现高深宽刻蚀。本文详细介绍了PLC的原理。控制器选用的西门子的S7-200型PLC，这种PLC易于实现对机器的控制。软件部分有上位机和下位机软件两种，上位机直接用PLC配置的应用开发软件，下位机是用S7-200提供的编程语言编写程序。

全文目录

致谢  4-5
中文摘要  5-6
英文摘要  6-7
第一章序论  7-13
  §1．1 研究背景  7-8
  §1．2 等离子体刻蚀技术的研究现状  8-11
  §1．3 本课题的研究内容  11-13
第二章等离子体刻蚀的理论与技术  13-29
  §2．1 概述  13-17
  §2．2 电感耦合等离子体刻蚀技术  17-29
    §2．2．1 电感耦合等离子体（ICP）源  20-23
    §2．2．2 ICP中粒子浓度的计算  23-27
    §2．2．3 电感耦合等离子体（ICP）刻蚀系统及侧壁钝化工艺  27-29
第三章电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因素讨论  29-34
第四章刻蚀控制的硬件系统  34-68
  §4．1 概述  34-35
  §4．2 电感耦合等离子体刻蚀机概述  35-36
  §4．3 控制系统设计  36-68
    §4．3．1 可编程序控制器的原理  37-49
    §4．3．2 S7-200型PLC控制器简介  49-68
第五章刻蚀控制的软件系统  68-80
  §5．1 软件系统概述  68
  §5．2 程序设计  68-80
第六章论文结论  80-84
参考文献  84-86
发表的论文  86-90

PLC控制的电感耦合等离子体刻蚀系统及刻蚀研究

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