学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

大功率静电感应器件制造技术的研究

作　者: 胡永刚
导　师: 李思渊
学　校: 兰州大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 大功率关键制造技术器件特性台面结构设计国民经济发展工艺流程设计材料选取外延腐蚀工艺
分类号: TN386
类　型: 硕士论文
年　份: 2006年
下　载: 48次
引　用: 2次
阅　读: 论文下载

内容摘要

为了制造出特性优良的大功率静电感应器件(SID)满足国民经济发展的需要,在对静电感应器件理论分析的基础上,对其关键制造技术进行了深入的研究。研究内容主要包括:静电感应晶闸管(SITH)的材料选取、结构设计、关键制造技术外延以及台面刻蚀和深槽刻蚀等的研究。此外,对静电感应晶体管(SIT)的结构设计、版图设计和工艺流程设计也进行了深入的研究。通过这些研究发现利用染磷法外延结合背面腐蚀工艺能够有效解决外延中硅片反型的问题,此外还发现深槽刻蚀对于器件特性的改善来说是必不可少的。另外,对先刻蚀台面还是先刻蚀槽的问题给出了实验对比结果,结果发现先刻蚀台面在现有实验条件下有利于器件特性的改善。最后,设计了SIT的新版图,制定出新版复合结构SIT的工艺流程,并制作出特性良好的管芯。

全文目录

第1章引言  8-10
第2章作用机理  10-22
  2.1 SITH的结构和Ⅰ—Ⅴ特性  10-16
    2.1.1 结构  10-12
    2.1.2 Ⅰ—Ⅴ特性  12-14
    2.1.3 作用机制的物理分析  14-16
  2.2 器件电势分析  16-22
    2.2.1 基本电势方程  16-18
    2.2.2 求解电势方程  18-22
第3章 SITH制造技术的研究  22-35
  3.1 材料选取  22-23
  3.2 结构设计  23-27
    3.2.1 沟道厚度  24-25
    3.2.2 沟道长度L_c  25-26
    3.2.3 栅体厚度  26
    3.2.4 栅体宽度  26-27
  3.3 外延  27-32
    3.3.1 主要工艺  27-28
    3.3.2 技术关键  28-29
    3.3.3 影响自掺杂的因素  29-31
    3.3.4 减小自掺杂的措施  31-32
  3.4 背面腐蚀  32-33
  3.5 正向阻断电压BV_(AK)  33-35
第4章台面和槽的刻蚀  35-46
  4.1 台面刻蚀  35-40
    4.1.1 台深与V_(gs)(V_(gk))之间的关系  35-38
    4.1.2 台面的边缘造型  38
    4.1.3 台面刻蚀工艺  38-40
  4.2 槽刻蚀  40-44
    4.2.1 用槽结构减少寄生效应并改善器件的电性能  40-41
    4.2.2 槽刻蚀工艺  41
    4.2.3 工艺顺序  41-44
  4.3 结论  44-46
第5章 SIT制造技术的研究  46-55
  5.1 材料选取  46
  5.2 版图设计  46-51
    5.2.1 扩硼版  46-47
    5.2.2 预扩浓硼版  47
    5.2.3 染磷版  47-48
    5.2.4 台面版  48
    5.2.5 槽版  48
    5.2.6 栅极补硼版  48
    5.2.7 源区扩磷版  48-49
    5.2.8 引线孔版与反刻版  49-50
    5.2.9 带限场环的扩硼版与切断环版  50-51
    5.2.10 切断环版  51
  5.3 工艺流程设计  51-54
  5.4 结论  54-55
第6章负阻转折  55-61
  6.1 SCR负阻转折机理  55-57
  6.2 SITH负阻转折的物理机制  57-61
第7章结论  61-63
参考文献  63-64
致谢  64

大功率静电感应器件制造技术的研究

内容摘要

全文目录

相似论文