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CdⅠ能谱的多通道量子亏损理论(MQDT)研究
作 者: 周超
导 师: 许启明
学 校: 西安建筑科技大学
专 业: 材料学
关键词: 多通道量子亏损理论 能谱 宇称 Rydberg系列 能级 寿命
分类号: TB302.2
类 型: 硕士论文
年 份: 2006年
下 载: 22次
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内容摘要
在人类已经步入知识经济、信息时代的今天,材料科学已成为现代科学技术中的发展最快的学科之一,材料现代分析方法作为研究材料科学的一种手段,其作用和意义尤为重要。原子光谱分析法是众多的材料现代分析方法中最为常见和实用的方法之一。本文首先介绍了材料现代分析中的基本方法,对原子光谱理论中的多通道量子亏损理论进行了详细地阐述,并利用此理论对镉原子现有的实验能级及寿命进行了分析,主要对镉原子J=1偶宇称和J=2偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,通过理论计算得到了以下两方面的结果: 1.对镉原子J=1偶宇称的能谱采用一阀两通道模型,通过拟合实验光谱数据得到了MQDT参数;计算得到了5sns(1/2)[1/2]1(7≤n≤36)系列共30个能级和寿命,预言了该系列20个Rydberg态的新的能级位置和28个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:τ=0.8980vn2.755;5snd(1/2)[3/2]1(6≤n≤35)系列共30个能级和寿命,预言了此系列18个Rydberg态的新的能级位置和26个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5snd(1/2)[3/2]1系列为τ=0.3628vn2.829;给出了计算得到的CdI偶宇称J=1两通道的混合系数,分析了此两通道的干扰情况。 2.对镉原子J=2偶宇称的能谱同样采用一阀两通道模型,通过拟合实验光谱数据得到了MQDT参数;计算得到了5snd(1/2)[5/2]2(6≤n≤35)共30个能级和寿命,预言了该系列16个Rydberg态的新的能级位置和26个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:τ=0.3963vn2.784;同时也计算出了5snd(1/2)[3/2]2(6≤n≤35)系列共30个能级的值;给出了计算得到的CdI偶宇称J=2两通道的混合系数,分析了此两通道的干扰情况。 本课题研究所得主要成果如下:首次用多通道量子亏损理论对镉原子J=1、2
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全文目录
1 绪论 9-15 1.1 综述 9-13 1.2 课题的研究目的和意义 13 1.3 课题的研究内容 13-15 2 材料现代分析方法概述 15-31 2.1 材料结构基础 15-23 2.1.1 原子能态及其表征 15-19 2.1.2 原子的磁矩和原子核自旋 19-23 2.2 材料现代分析方法的一般原理 23 2.3 光谱分析法简介 23-31 2.3.1 光谱分析过程与仪器简述 25-28 2.3.2 光谱分析方法的应用 28-31 3 多通道量子亏损理论(MQDT) 31-66 3.1 原子的激发态结构 31-55 3.1.1 谱项和原子态 31-42 3.1.2 耦合类型和组态作用 42-49 3.1.3 Rydberg态 49-55 3.2 MQDT的一般物理图像 55-56 3.3 多通道量子亏损理论 56-66 3.3.1 单通道量子亏损理论 56-59 3.3.2 多通道量子亏损理论 59-66 4 Cd I MQDT参数的拟合 66-71 4.1 通道的选择 66-67 4.2 参数的选择 67-68 4.3 参数初值的选取 68-70 4.4 参数的拟合 70-71 5 结果分析与讨论 71-81 5.1 Cd I 的偶宇称J=1能谱分析及寿命 71-76 5.2 Cd I 的偶宇称J=2能谱分析及寿命 76-81 6 结论 81-82 致谢 82-83 参考文献 83-85 在读期间发表的论文 85
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 工程材料一般性问题 > 工程材料试验 > 化学试验法
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